Nouvelle technique d’élaboration de canaux ultra-mince en germanium

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Dans ce travail, des chercheurs de l’Université de Tokyo (Japon) présente une nouvelle technique d’élaboration de canaux ultra-mince en germanium (tGe < 10 nm) pour la fabrication de pMOSFET. Cette technique permet d’obtenir de très bonnes mobilités pour les trous, souffrant cependant d’une forte densité d’état à l’interface Ge/GeOx. Une technique permettant de minimiser cette dernière est utilisée pour maintenir les bonnes mobilités. Les données expérimentales présentées dans cet article seront aussi utiles pour la compréhension théorique du transport de trous dans les canaux Ge.