HEMT de puissance normally-off en Nitrure de Gallium avec performances stabilisées

Contenu disponible pour les membres Ajouter à la sélection

Vous devez être connecté à votre compte pour accéder à ce contenu.
Seul le résumé vous est affiché.

Déjà un compte ? Connectez-vous

Le transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) apparaît comme une solution d’avenir pour répondre aux besoins des nombreuses applications de puissance qui nécessitent l’utilisation d’interrupteurs de puissance haute fréquence, haute température et présentant la fonctionnalité « normally-off »...