Du GaN dopé p obtenu par pulvération pulsée à basse température

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Pour pallier les limitations, les chercheurs de l’Université de Tokyo ont développé la croissance de GaN par pulvérisation pulsée (PSD), méthode qui permet l’épitaxie à basse température (moins de 500°C) et l’obtention d’un dopage de type p avec un comportement (mobilité des trous, énergie d’activation) proche de l’état de l’art...