Défauts à spin dans les matériaux à large bande interdite

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On assiste depuis 3-4 ans à un renouveau très important des études sur les défauts profonds optiquement actifs dans les matériaux semiconducteurs à large bande interdite (SiC, ZnO, GaN, BN...). Ces défauts peuvent présenter des propriétés « atom like »très intéressantes.