Optimisation du dépôt de couches minces d'alumine pour améliorer le phénomène d'up-conversion

Contenu disponible pour les abonnés Ajouter à la sélection

Vous devez être connecté à votre compte pour accéder à ce contenu.
Seul le résumé vous est affiché.

Déjà un compte ? Connectez-vous

Dans cet article résolument à objectif photonique, les auteurs décrivent la façon dont ils ont optimisé des couches minces d’alumine dopées avec des ions Er3+ pour des applications à 1.54 µm, la longueur d’onde télécom. Ils montrent qu’avec la technique de dépôt de couches minces atomiques (ALD - Atomic Layer Deposition), ils incorporent une grande quantité d’ions Er3+ par rapport à d’autres matrices classiquement utilisées, et ceci sans favoriser les mécanismes d’upconversion. Cette approche, optimisée dans une optique couche à conversion de fréquence pour le solaire serait prometteuse d’autant plus qu’actuellement la technique ALD est utilisée pour déposer une couche de passivation en alumine sur les faces arrières des cellules.