Formation d’un défaut volumique sous lumière dans les plaquettes de haut de lingot Cz de type n

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Cet article présente des travaux réalisés par une doctorante du CEA - INES mettant en évidence un défaut activé sous l’effet de la lumière dans des plaquettes de silicium cristallin de type n, issues du haut de lingot obtenu par la méthode de tirage Czochralski. Ce défaut, jusqu’à présent non répertorié dans la littérature, a fait l’objet d’une étude poussée pour tenter d’en dresser une carte d’identité suffisamment complète pour, à terme, remonter à son origine.