Transistors à effet de champ à base d’isolants topologiques bidimensionnels… défectueux

Content available for members Add to the selection

You have to log in to display this article
Only the summary is displayed

Already an account? Log in!

Plusieurs matériaux 2D ont été proposés comme alternative aux semi-conducteurs classiques pour le canal des transistors à effet de champ. Dans un article récemment publié, une équipe de l’Université du Texas (Etats-Unis) a proposé un mécanisme alternatif de commutation, qui se fonde sur l’utilisation d’un isolant topologique bidimensionnel désordonné.