Synapse à 2 transistors / 1 memristor, adéquate pour applications neuromorphiques

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Il a été établi depuis quelques années que les composants mémoires à modification de résistance (memristor), comme les mémoires à changement de phase, les mémoires à oxyde métallique, ou les mémoires à ponts de conductions, étaient capables de reproduire la variation de conductivité d’une synapse lors des phases d’apprentissages.