Phosphorène multicouche pour les Tunnel FETs

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Quelles performances peut-on attendre du T-FET à base de phosphorène par rapport aux autres matériaux bidimensionnels ? Cet article de l’Université de Purdue (États-Unis) répond au moyen de simulations quantiques auto-cohérentes basées sur la méthode de la fonction de Green hors équilibre et un hamiltonien de liaisons fortes calibré sur des calculs ab initio.